跟著科技的開展，印刷變頻電源電路板已成為不可或缺的電子部件，現(xiàn)在印刷變頻電源電路板已改稱為電子基板。傳統(tǒng)無機(jī)基板以Al2O3、SiC、BeO 和AlN等為基材，這些資料在熱導(dǎo)率、抗彎強(qiáng)度以及熱膨脹系數(shù)方面有杰出的功能，現(xiàn)廣泛應(yīng)用于變頻電源MCM電路基板行業(yè)。這次研討的變頻電源電路基板資料是以微米Al2O3 和CaZrO3 為主要原料，選用硅碳棒電阻爐燒結(jié)制備而成，進(jìn)而探究其相對密度、介電常數(shù)以及介電損耗功能。
相對密度剖析
上圖是添加不同量微米Al2O3 和納米CaZrO3粉后對氧化鋁陶瓷集成變頻電源電路基板資料相對密度的影響。由圖可知跟著溫度的升高，其基板資料的相對密度跟著升高，溫度到達(dá)1100 ℃到達(dá)最大值。當(dāng)微米Al2O3 的添加量為60 wt%，納米ZrO2 的添加量為10 wt% 時(shí)，氧化鋁陶瓷集成變頻電源電路基板資料的相對密度相對其它配方最大，此刻樣品較細(xì)密，有利于氧化鋁陶瓷集成變頻電源電路基板資料力學(xué)功能的進(jìn)步
介電常數(shù)剖析
上圖是基板資料的介電常數(shù)隨燒結(jié)溫度改變曲線?？煽闯龈鴾囟壬?，其介電常數(shù)隨之升高。當(dāng)溫度到達(dá)1100 ℃時(shí)，介電常數(shù)到達(dá)最大值。當(dāng)微米Al2O3 添加量從50 wt% 改變至65 wt%，納米CaZrO3 添加量從20 wt% 改變至5 wt% 時(shí)，氧化鋁集成變頻電源電路基板資料的介電常數(shù)呈先添加后削減的趨勢。當(dāng)微米Al2O3 含量為60 wt%，納米CaZrO3 含量為10 wt% 的時(shí)分，所制備的樣品功能最佳。這是因?yàn)橛绊懡殡姵?shù)的因素是多方面的，只需觸及配方組成中化學(xué)組成，當(dāng)堿金屬離子氧化物的含量越多，其介電常數(shù)越大。別的，溫度升高過程中各離子和偶極子的熱運(yùn)動(dòng)會跟著加強(qiáng)，終究導(dǎo)致介電常數(shù)添加。
介質(zhì)損耗剖析
上圖是基板資料的介質(zhì)損耗隨燒結(jié)溫度改變曲線?？傻玫礁鴾囟鹊纳?，介質(zhì)損耗逐漸下降。當(dāng)微米Al2O3 在50 wt% 至65 wt% 之間改變，納米CaZrO3在20 wt% 至5 wt% 之間改變時(shí)，介質(zhì)損耗先削減后添加，當(dāng)微米Al2O3 添加量為60 wt%，納米CaZrO3 添加量為10 wt%，且當(dāng)燒結(jié)溫度為1100 ℃時(shí)，燒結(jié)后樣品的介質(zhì)損耗值最小。
物質(zhì)的介質(zhì)損耗是由物質(zhì)內(nèi)部電子、離子漏導(dǎo)損耗以及空間電荷極化所引起，因此物質(zhì)的體積電阻率越小，其介質(zhì)損耗越大。樣品中CaZrO3的存在，使得二價(jià)Ca離子以及四價(jià)Zr離子對其他低價(jià)位的離子發(fā)生壓抑效應(yīng)，使得樣品的介質(zhì)損耗添加，而Na2O 和K2O 的存在，使得K離子和Na離子因?yàn)殡p堿效應(yīng)的效果，使得網(wǎng)絡(luò)結(jié)合嚴(yán)密，從而樣品的介質(zhì)損耗較小。
手機(jī)掃描二維碼
